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ASML已经完成1纳米光刻机设计:将首先供货台积电和三星、单价突破新高

摩尔定律的终点是什么?随着5nm光刻机的量产和3nm的突破,摩尔定律的尽头变得越来越扑朔迷离。不过可以肯定的是,随着随着工艺的进一步提高,其成本也在呈几何增长。

来自日媒的报道称,在不久前举办的线上活动中,欧洲微电子研究中心IMEC首席执行官兼总裁Luc Van den hove在线上演讲中表示,在与ASML公司的合作下,更加先进的光刻机已经取得了进展。

Luc Van den hove表示,IMEC的目标是将下一代高分辨率EUV光刻技术高NA EUV光刻技术商业化。由于此前得光刻机竞争对手早已经陆续退出市场,目前ASML把握着全球主要的先进光刻机产能,近年来,IMEC一直在与ASML研究新的EUV光刻机,目前目标是将工艺规模缩小到1nm及以下。

在本次得ITF Japan 2020线上会议上,IMEC还对外公布了其3nm、2nm、1.5nm和1nm及以下工艺的逻辑器件路线图。

据悉,从7nm开始,台积电已经在开始采用NA=0.33的EUV光刻设备,与前代相比,更高分辨率的设备带来了频率和功耗的提升,也为目前台积电5nm制程提供了基础。

目前ASML已经完成了NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计,至于设备的商业化。要等到至少2022年,而等到台积电和三星拿到设备,之前要在2023年。

随着工艺的不断进步,更加复杂的光刻系统还将导致设备变得更大,而未来3nm、1nm光刻机的价格,相比目前也是成倍增长。至于首批客户,没有意外的话将是台积电和三星。

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