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紧跟台积电加入晶圆涨价大军,芯片荒为工艺劣势的三星带来增长新希望?

8月27日消息,来自国外媒体的报道,在联电、台积电等晶圆代工厂纷纷宣布涨价之后,三星电子旗下的晶圆部门也有意加入涨价大潮之中,外界预计三星电子将于第四季度正式开启涨价,并且还会将部分智能手机AP产能外包。

第四季度正式开启涨价

韩国《经济日报》在此前援引首尔国立大学教授 Jaeyong Song的表述时称,由于全球芯片行业的供应持续紧张,三星旗下的晶圆部门近段时间以来一直处于满载的状态。为了更好的应对客户的订单,三星甚至将Galaxy系列手机的一些应用处理器生产外包了出去。

涨价也并不是空穴来风,除了同行们在近期密集的涨价以外,三星在此前也间接的透露了涨价的消息。

三星副总裁 Suh Byung hoon在上个月的第二季度财报发布会上曾经表示,三星将使代工价格合理化,同时预计今年三星电子晶圆业务的收入将增长 20% 以上,除了产能的不断投产以外,涨价将是收入增长的重要来源。

韩国《经济日报》进一步表示,晶圆厂商的涨价除了会给苹果等科技巨头带来更多的成本意外,还会显著的影响汽车行业,对于饱受汽车芯片短缺之苦的汽车行业来说,预计成本将进一步上涨。

韩国汉阳大学教授Park Jae gun则表示,为了应对全球芯片荒的局面,晶圆厂商纷纷在产能扩张、研发和EUV 设备购买方面进行了大规模投资。

虽然长远来看会达成更多的收入,但这些支出极大的削弱了晶圆厂商现阶段的盈利能力。不过为了应对外界的竞争,这些投入都被认为是必要的,晶圆厂商们必须先发制人,积极订购设备以保持竞争力。

三星弯道超车失败

此前国外媒体援引供应链人士的消息称,三星采用全环绕栅极晶体管(GAA)技术的3nm制程工艺已经不太可能在2023年之前量产,不仅是难度更高的3nmGAP版本,即使是3nmGAE版本也不太现实。

三星此前宣布最早将于2022年量产3nm,这个3nm制程是3GAE版本,也就是3nm gate-all-around early,三星把这个版本称为先行试错版。至于可能在2023年正式量产的3nm版本则是3GAP,即3nm gate-all-around plus,也就是3nm工艺的强化版本,二者在量产率和性能上有所差别。

对于三星3nm的真正实力,国外Digitimes网站也给出了详细的数据分析,结合台积电和英特尔发布的标准参数可知,台积电的3纳米工艺可以做到2.9亿颗/平方毫米,三星的3纳米工艺只有1.7 亿颗/平方毫米,参数上甚至连英特尔的7nm工艺都比不上。

三星在旗下3nm制程的宣传上,一直把GAA架构作为主要优势和卖点,三星表示,采用全环绕栅极架构(Gate-All-Around FET,GAA)的3纳米制程技术性能要优于台积电,后者3nm采用的是鳍式场效应架构(FinFET)。GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性,可满足某些栅极宽度的需求。

目前对于(Gate-All-Around FET,GAA)架构,台积电也有自己的态度,在2020年的技术研讨会上也表示,台积电称将在2nm节点引入全环绕栅极(GAA)技术,现阶段台积电仍然将采用鳍式场效应架构(FinFET)。

从时间点来看,台积电的3nm制程量产时间已经确定早于三星。而在技术上看,台积电3nm仍然是采用的FinFET架构,而三星则采用全环绕栅极技术(GAA),但由于各家都有不同解释,加上生产工艺和良品率的不同,实际在3nm工艺上三星也并非能取得技术上的优势。

240万亿韩元“大手笔”投资

本周二,三星电子宣布未来三年内,母公司三星集团将在后疫情时代投资240万亿韩元 (约合1.33万亿人民币) ,扩大公司在生物制药、人工智能 (AI)、半导体以及机器人领域的足迹,创造1万个新就业岗位。

而在三星众多的投资项目中,半导体占据了最重要的地位,大约80%的投资预计将用于半导体业务。

三星希望这笔截至2023年的投资将有助于加强集团在芯片制造等关键行业的全球地位,与三星集团在2018年提出的三年期投资策略相比,这笔240万亿韩元的投资在规模上高出了30%。

三星电子对外界表示,芯片行业是韩国经济的安全板,三星积极的进行大规模投资也可以被视为一种生存策略,从目前的的市场来看,一旦韩国失去了半导体的竞争力,想要东山再起几乎没有可能。

三星电子提前执行其非存储业务投资,似乎是为了明年开始批量生产3纳米芯片,从而与台积电和英特尔竞争市场份额的一种策略。三星已经确认3nm制程会延后到2023年推出,台积电3nm制程则会如期在明年下半年进入量产,尽管在制程技术上三星仍落后台积电,但得益于当前紧张的芯片市场,预计三星晶圆部门的营收仍会有大规模的增长。

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  • 编辑:刘卓
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