三星大手笔投资8万亿韩元，扩建存储芯片及感光元件生产线

三星大手笔投资8万亿韩元，扩建存储芯片及感光元件生产线闪电战3 6月1日消息，来自国外媒体的报道，三星近日宣布将投资7-8 万亿韩元（约合人民币 407-465 亿）来扩大其 NAND 闪存芯片的生产。 三星表示，将投资韩国平泽市工业园区的2号生产线以扩大产能，应对

6月1日消息，来自国外媒体的报道，三星近日宣布将投资7-8 万亿韩元（约合人民币 407-465 亿）来扩大其 NAND 闪存芯片的生产。

三星表示，将投资韩国平泽市工业园区的2号生产线以扩大产能，应对因新冠疫情而扩大的生产电脑与服务器对芯片的需求，目前新工厂已经在数月以前就开始动工。

从进入21世纪以来，三星就一直是存储芯片行业的领导者，近期三星又实现了新的技术突破，业内首次多达160层的 V-NAND 闪存设计。它在拥有更高存储容量的同时，芯片密度更高。

据悉，这次的新工厂 V-NAND 芯片的量产将会在 2021 年下半年开始，建成后将会满足会满足 NAND 闪存芯片的中期和长期需求。目前，在三星的平泽工业园区中，已经建成的有世界上两条最庞大的闪存及内存芯片生产线。